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银辅助化学刻蚀半导体材料
Silver-Assisted Chemical Etching of Semiconductor Materials

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耿学文 1 *   贺春林 2 *   徐仕翀 1   李俊刚 1   朱丽娟 2   赵连城 1  
文摘 微电子器件的发展趋势是小型化和多功能化,这就对半导体材料的加工技术提出了更高的要求。与传统的加工技术相比,近年发展起来的贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体材料制备微结构技术因操作简单、不需要精密设备、反应迅速和可批量生产等优点引起了国内外学者的广泛关注。本文以Si为主,详细介绍了Ag辅助化学刻蚀半导体材料的机理、反应现象及影响因素,总结了各种微结构的制备技术及其应用。此外,对Ge,Si1-xGex和GaAs等其他半导体材料的贵金属粒子辅助化学刻蚀技术也进行了综述。同时分析了贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体目前存在的问题,并对未来的研究方向进行了展望。
其他语种文摘 Semiconductors with various structural morphologies are widely used in areas of electronics,optoelectronics,photovoltaics,sensors and thermoelectrics.The fabrication of solid-state micro/nanostructures has been motivated by the miniaturization and multi-functionality of microelectronic devices.Although some traditional methods can be used for texturization treatment of semiconductors,their applications are limited to some extent owing to their intrinsic disadvantages.Recently,the technologies of noble metal-assisted chemical etching(MacEtch) of semiconductors to produce micro/nanostructures have been paid much attention due to their relatively simple processes,fast reacting rate,low cost,and applicability for mass production etc.In this review,firstly,the MacEtch mechanisms,reaction phenomena and effect factors(including the depositing methods,distribution,sizes,shape of Ag particles,and the composition of etchants) of Ag-assisted chemical etching of Si semiconductor are discussed in detail.And then the fabrication technologies of various microstructures such as porous Si,Si nanostructures,silicon nanowire arrays,and quasi-ordered micro/nanostructures are introduced to highlight the salient features of MacEtch of Si,and the state-of-the-art MacEtch of other semiconductors such as Ge,Si1-xGex,and GaAs is also summarized.Meantime,the potential applications of the MacEtch of semiconductors in different fields are overviewed.Finally,the current issues are analyzed and the outlook for the further research in this field is proposed.
来源 化学进展 ,2012,24(10):1955-1965 【核心库】
关键词 ; 化学刻蚀 ; 半导体
地址

1. 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院, 哈尔滨, 150001  

2. 沈阳大学, 辽宁省先进材料制备技术重点实验室, 沈阳, 110044

语种 中文
ISSN 1005-281X
学科 化学
基金 国家自然科学基金 ;  沈阳市科学技术基金项目
文献收藏号 CSCD:4645318

参考文献 共 74 共4页

1.  Geng X. J. Electron. Mater,2011,40:2480-2485 CSCD被引 3    
2.  Hanson J N. Nanotechnology,2006,17:4946-4949 CSCD被引 1    
3.  Kanamori Y. Opt. Lett,1999,24:1422-1424 CSCD被引 18    
4.  Lee K S. Sol. Energy Mater. Sol. Cells,2011,95:66-68 CSCD被引 8    
5.  Nositschka W A. Sol. Energy Mater. Sol. Cells,2003,80:227-237 CSCD被引 13    
6.  Dobrzanski L A. J. Mater. Process. Tech,2007,191:228-231 CSCD被引 7    
7.  Spiegel M. Sol. Energy Mater. Sol. Cells,2002,74:175-182 CSCD被引 14    
8.  Baum T. Langmuir,1998,14:2925-2928 CSCD被引 2    
9.  Panek P. J. Mater. Sci,2005,40:1459-1463 CSCD被引 19    
10.  Peng L H. Appl. Phys. Lett,1998,72:939-941 CSCD被引 3    
11.  Kawakami K. J. Phys. Chem. B,1997,101:4508-4513 CSCD被引 3    
12.  Li X. Appl. Phys. Lett,2000,77:2572-2574 CSCD被引 28    
13.  耿学文. 功能材料,2010,41:6-10, 19 CSCD被引 1    
14.  耿学文. 薄膜太阳能电池硅衬底陷光结构的研究进展. 功能材料,2010,41:751-754 CSCD被引 4    
15.  Koynov S. Appl. Phys. Lett,2006,88:art. no. 203107 CSCD被引 18    
16.  Rykaczewski K. Adv. Mater,2011,23:659-663 CSCD被引 1    
17.  Huang Z P. Nanotechnology,2006,17:1476-1480 CSCD被引 5    
18.  Yasukawa Y. Electrochem. Commun,2008,10:757-760 CSCD被引 1    
19.  Yasukawa Y. J. Electrochem. Soc,2009,156:H777-H781 CSCD被引 1    
20.  Duan B K. Analyst,2010,135:902-907 CSCD被引 1    
引证文献 2

1 贺春林 刻蚀液中HF和H_2O_2的摩尔分数对Ag辅助化学刻蚀Si形貌的影响 金属学报,2013,49(8):989-995
CSCD被引 0 次

2 朱德伦 锂离子电池三维多孔硅/银复合材料负极设计及性能 上海大学学报. 自然科学版,2021,27(1):144-153
CSCD被引 0 次

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