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微弧氧化＋电解液修饰法制备Ti0_2薄膜的光催化性能
PHOTOCATALYTIC PROPERTIES OF TiO_2 THIN FILMS PREPARED BY MICROARC OXIDATION AND DOPING ELECTROLYTES
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文摘
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在微弧氧化法制备TiO_2光催化薄膜的过程中，采用向电解液中添加氧化物的方法对薄膜进行改性。实验结果表明，过渡金属、重金属及稀土元素掺杂可在不同程度上影响薄膜的光催化性能，其中，V，Ag，Ce元素掺杂可使光催化120min的降解率提高10％以上。采用半导体掺杂也能很好地提高TiO_2薄膜的光催化性能，其中以SnO_2效果最好。实验表明，V_20_5添加量在O．5mmol／L或sn0_2添加量在1．0mmol／L时，生成的TiO_2薄膜光催化效果最好。XRD及SEM分析表明，掺杂不改变TiO_2晶型，改性后的TiO_2光催化薄膜增厚，微弧放电形成的孔道变小，表面积增加。 |
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其他语种文摘
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TiO_2 photocatalytic thin films prepared by microarc oxidation （MAO） were modified by adding some oxides into electrolytes. The results show that the photocatalytic degradation ratio of the TiO_2 film can be improved with the doped components of V, Ag and Ce, while the semiconductor doping may also obviously improve the photocatalytic activity of the film. As the doped concentrations of V_20_5 and SnO_2 are 0.5 and 1.0 mmol/L, respectively, the photocatalytic degradation ratio is significantly improved. XRD analysis results reveal that the above doping does not change the lattice type of TiO_2. Doped films formed on Ti substate have high content of anatase, which would be ideal for the film with high photocatalytic properties. SEM images of the films indicate that the above doping makes the thickness and surface area of the film increase, and the microarc channel diameter of the film decrease. |
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来源
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金属学报
,2008,44(10):1238-1242 【核心库】
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关键词
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微弧氧化
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TiO_2
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光催化
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掺杂
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地址
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1.
沈阳理工大学环境与化学工程学院, 辽宁, 沈阳, 110168
2.
东北大学材料与冶金学院, 辽宁, 沈阳, 110004
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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0412-1961 |
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学科
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化学工业 |
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基金
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辽宁省自然科学基金
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辽宁省教育厅项目
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文献收藏号
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CSCD:3420310
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参考文献 共
9
共1页
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