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文摘
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分别以硅-二氧化硅和锗-二氧化硅复合靶作为溅射靶，采用磁控溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米硅的氧化硅薄膜和含纳米锗的氧化硅薄膜。各样品分别在氮气氛中经过300到1100℃不同温度的退火处理。使用高分辨透射电子显微镜可以观察到900和1100℃退火的含纳米硅的氧化硅薄膜中的纳米硅粒，和经900和1100℃退火的含纳米锗的氧化硅薄膜中的纳米锗粒。经过不同温度退火处理的含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光致发光谱均具有相似的峰型，且它们的发光峰位均位于580nm(2.1eV)附近。可以认为含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光发射主要来自于SiO_2层中发光中心上的复合发光，对实验结果进行了合理的解释。 |
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来源
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物理学报
,2001,50(8):1580 【核心库】
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DOI
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10.7498/aps.50.1580
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关键词
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光致发光
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纳米硅
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纳米锗
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发光中心
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地址
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1.
西北师范大学物理系, 甘肃, 兰州, 730070
2.
北京大学物理系, 北京, 100871
3.
兰州大学物理科学与技术学院, 甘肃, 兰州, 730000
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语种
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中文 |
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ISSN
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1000-3290 |
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学科
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物理学 |
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基金
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甘肃省教育厅科研项目
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国家自然科学基金
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西南石油大学-成都理工大学油气藏地质及开发工程国家重点实验室开放基金
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文献收藏号
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CSCD:783134
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