热丝辅助等离子体化学气相法生长c-BN薄膜

姬荣斌 ¹ 王万录 ² 廖克俊 ² 张斌 ²

文摘	用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积法(PCVD)合成c-BN薄膜获得成功。实验结果表明,灯丝温度、反应气压、衬底温度、灯丝与衬底距离对薄膜质量有重要影响。
来源	硅酸盐学报 ,1994,22(2):162 【核心库】
关键词	立方氮化硼薄膜 ; 射频等高子体 ; 化学气相沉积法 ; 生长条件
地址	1. 厦门大学物理系, 福建, 厦门 2. 兰州大学物理系, 甘肃, 兰州
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0454-5648
学科	化学
基金	国家自然科学基金
文献收藏号	CSCD:238085

参考文献共 1 共1页

1. 田民波. 薄膜科学与技术手册.下,1991

CSCD被引 8 次

引证文献 1 篇

1 廖克俊高速率生长c-BN薄膜科学通报,1995,40(13):1184
CSCD被引 0 次

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