In_2O_3:Sn（ITO）薄膜的光学特性研究

陈猛 ¹ 白雪冬 ² 裴志亮 ² 孙超 ² 宫骏 ² 黄荣芳 ² 闻立时 ²

来源	金属学报 ,1999,35(9):934 【核心库】
关键词	In_2O_3:Sn(ITO)薄膜 ; 红外反射率 ; 电磁本构特性 ; 线性拟合 ; 禁戒跃迁
地址	1. 中科院金属所, 离子束开放实验室, 辽宁, 沈阳, 110015 2. 中科院金属所, 辽宁, 沈阳, 110015
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0412-1961
学科	物理学;金属学与金属工艺
基金	辽宁省沈阳市科技项目
文献收藏号	CSCD:675394

参考文献共 6 共1页

	1. Bi S C. Thin Solid Films,1993,229:146	CSCD被引 2 次
	2. Wen F W. Thin Solid Films,1997,298:221	CSCD被引 3 次
	3. 陈猛. 半导体学报	CSCD被引 2 次
	4. 陈猛. 软基片上ITO薄膜的光电特性. 功能材料与器件学报,1999,5:61	CSCD被引 3 次
	5. 陈猛. 柔性基片上In_2O_3:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其电学和光学特性. 金属学报,1999,35:443	CSCD被引 5 次
	6. Chen R T. Appl Phys Lett,1992,60:1541	CSCD被引 3 次

引证文献 8 篇

1 袁广杰以Al_2O_3／AlN为复合绝缘缓冲层的ZnO—TTFT透过率的研究功能材料,2007,38(2):186-189
CSCD被引 0 次

2 袁广才溅射及RTA处理对ITO薄膜特性的影响材料研究学报,2007,21(3):282-286
CSCD被引 1 次

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