总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响
Influence of Total Gas Pressure on Optical Property of TiO2 Thin Film Grown by DC Reactive Magnetron Sputtering
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文摘
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用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定电源功率、氩气流量42.6 sccm、氧流量15 sccm、溅射时间30 min的条件下,通过控制总气压改变TiO2薄膜的光学性质.应用n& k Analyzer 1200测量,当总气压增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷向短波方向移动,总气压对消光系数k影响不大;随着总气压的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势,但当总气压达到一定量值时折射率的变化趋于稳定.通过XRD和SEM表征发现,随着总气压的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变,薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密. |
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其他语种文摘
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Titanium dioxide film was grown on silicon substrate by DC reactive magnetron sputtering. The film was studied with X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscopy(SEM) .The results show that the total gas pressure signficantly affects the optical properies of the film gorwn. For example,as the pressure increases, the average reflectance of the film decreases with its low reflectance valley shifting to-wards short wavelength, but its extinction coefficient( k) remains unchanged. Moreover, the refractive index decreases until a given total pressure is reached. XRD and SEM analyses reveal that as the pressure increases, phase transition of TiO2 from rutile to anatase occurs and reduction of grain size on the film surface was also observed. |
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来源
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真空科学与技术学报
,2005,25(1):65-68 【扩展库】
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关键词
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二氧化钛薄膜
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直流反应磁控溅射
;
总气压
;
反射率
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地址
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1.
东北大学, 沈阳, 110004
2.
中山大学, 广州, 510275
3.
中国科学院广州能源研究所, 广州, 510070
4.
中国科学院金属研究所, 沈阳, 110016
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1672-7126 |
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学科
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化学 |
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基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:2129936
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参考文献 共
13
共1页
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1.
Gao Y M. Mater Res Bull.
Mater Res Bull,1992,27:1023
|
CSCD被引
5
次
|
|
|
|
|
2.
O'Regan B. Nature.
Nature,1991,353:737
|
CSCD被引
1348
次
|
|
|
|
|
3.
Hagfeldt A. J Electrochem Soc.
J Electrochem Soc,1994,141:L82
|
CSCD被引
3
次
|
|
|
|
|
4.
Hugot-Le A. J Electrochem Soc.
J Electrochem Soc,1995,142:L38
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
|
5.
Hagfeldt A. Chem Rev.
Chem Rev,1995,95:49
|
CSCD被引
308
次
|
|
|
|
|
6.
Pulker H K. Thin Film Science and Technology.
Thin Film Science and Technology.Vol.6,1984
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
|
7.
Fujishima A. Photochem Rev.
J Photochem Photobiol C:Photochem Rev,2000,1:1
|
CSCD被引
606
次
|
|
|
|
|
8.
Forouhi A R. Phys Rev B.
Phys Rev B,1986,34:7018
|
CSCD被引
30
次
|
|
|
|
|
9.
Forouhi A R. Phys Rev B.
Phys Rev B,1988,38:1865
|
CSCD被引
16
次
|
|
|
|
|
10.
Forouhi A R. U.
U.S.Patent No.4,905,170
|
CSCD被引
2
次
|
|
|
|
|
11.
杨文华. 太阳电池减反射膜设计与分析.
上海大学学报,2004,10(1):39-42
|
CSCD被引
9
次
|
|
|
|
|
12.
Zeman P. Surface and Coating Technology.
Surface and Coating Technology,2002,153:93-99
|
CSCD被引
15
次
|
|
|
|
|
13.
Okimura K. Appl Phys.
Appl Phys,1995,34:4950
|
CSCD被引
1
次
|
|
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