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HFCVD生长金刚石薄膜中气体状态参数空间场模拟计算
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文摘
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对HFCVD过程中的气体状态参数空间场进行了模拟计算。结果表明，气体的温度，体密度，速度和质量流密度场是空间位置的函数，在合适的位置，可获得均匀的温度和质量流密度。这些结果可为制备大面积均匀金刚石薄膜时的工艺参数选择提供理论依据。 |
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来源
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金属学报
,1999,35(6):648 【核心库】
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关键词
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热丝化学气相沉积
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金刚石薄膜
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形核
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均匀生长
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空间场
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模拟计算
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地址
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中科院金属所, 辽宁, 沈阳, 110015
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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0412-1961 |
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学科
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一般工业技术;金属学与金属工艺 |
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基金
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国家自然科学基金
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辽宁省科技厅项目
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文献收藏号
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CSCD:675334
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参考文献 共
4
共1页
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