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高速率生长c-BN薄膜

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文摘 利用直流等离子体CVD法在Si(100)衬底上生长出了优质的c-BN薄膜,且生长速率达10μm/h。
来源 科学通报 ,1995,40(13):1184 【核心库】
关键词 c-BN薄膜 ; 直流等离子体CVD ; 高生长速率
地址

兰州大学物理系, 甘肃, 兰州

语种 中文
文献类型 简报
ISSN 0023-074X
学科 物理学
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:275652

参考文献 共 3 共1页

1.  田民波. 薄膜科学与技术手册,1991 CSCD被引 62 次    
2.  姬荣斌. 热丝辅助等离子体化学气相法生长c-BN薄膜. 硅酸盐学报,1994(2):162 CSCD被引 1 次    
3.  王万录. 直流等离子体化学汽相沉积法合成的金刚石膜的内应力研究. 物理学报,1992(11):1906 CSCD被引 4 次    
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