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李晋闽, 物理, 2000, 29(8), 481 被引 9 次 

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来源 年代 作者 学科
1. 人工晶体学报(2) 1. 2008(2) 1. 姚荣迁 厦门大学(2) 1. 电子技术、通信技术(4)
2. 功能材料(2) 2. 2003(2) 2. 余煜玺 厦门大学(2) 2. 自动化技术、计算机技术(2)
3. 电子元件与材料(1) 3. 2002(2) 3. 张立同 西北工业大学(2) 3. 化学工业(2)

    题名 作者 来源 被引频次
1 碳化硅直接键合机理及其力学性能研究
详细信息 
王心心; 梁庭; 贾平岗
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传感技术学报, 2015, 28(9), 1282-1287 0
2 连续含铝SiC自由膜的制备与发光特性研究
详细信息 
姚荣迁; 冯祖德; 张冰洁
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功能材料, 2008, 39(11), 1781-1784,1788 0
3 聚碳硅烷先驱体法制备连续SiC自由膜研究
详细信息 
姚荣迁; 冯祖德; 余煜玺
显示更多作者
功能材料, 2008, 39(9), 1446-1449 1
4 SiC薄膜的制备及其对气氛的响应研究
详细信息 
赵武; 张志勇; 吴铁柱
显示更多作者
电子元件与材料, 2005, 24(9), 36-38,41 0
5 用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计
详细信息 
蒲红斌; 陈治明; 李留臣
显示更多作者
人工晶体学报, 2004, 33(5), 712-716 2
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