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黄大定, 半导体学报, 1999, 20(12), 1049 被引 4 次 

检索结果分布(4)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报(3) 1. 2001(2) 1. 黄大定 中国科学院半导体研究所(2) 1. 电子技术、通信技术(4)
2. 真空科学与技术学报(1) 2. 2002(1) 2. 李建平 中国科学院半导体研究所(2)
3. 2000(1) 3. 孙殿照 中国科学院半导体研究所(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 3UCVD SiGe工艺的神经网络模型
详细信息 
李培咸; 孙建诚; 胡辉勇
真空科学与技术学报, 2002, 22(1), 61-64 0
2 GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料
详细信息 
邹德恕; 徐晨; 陈建新
显示更多作者
半导体学报, 2001, 22(8), 1035 0
3 采用高真空 /快速热处理 /化学气相淀积外延SiGe HBT结构(英文)
详细信息 
贾宏勇; 林惠旺; 陈培毅
显示更多作者
半导体学报, 2001, 22(3), 251 0
4 Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method
详细信息 
林燕霞; 黄大定; 张秀兰
显示更多作者
半导体学报, 2000, 21(11), 1050 0
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