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刘祥林, 半导体学报, 1999, 20(7), 529 被引 4 次 

检索结果分布(4)
来源 年代 作者 学科
1. 发光学报(1) 1. 2000(2) 1. 孙佩 太原理工大学(1) 1. 物理学(3)
2. 功能材料与器件学报(1) 2. 2008(1) 2. 林秀华 厦门大学(1) 2. 化学(1)
3. 人工晶体学报(1) 3. 2015(1) 3. 李鹏 南昌大学(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 成核层温度对非掺杂GaN外延薄膜结晶质量的影响
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孙成真; 贾志刚; 尚林
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人工晶体学报, 2015, 44(8), 2123-2129 1
2 n型GaN薄膜输运性质与发光研究
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张曾; 张荣; 谢自力
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中国科学. G辑, 物理学,力学,天文学, 2008, 38(9), 1221-1227 1
3 掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响
详细信息 
李述体; 莫春兰; 李鹏
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功能材料与器件学报, 2000, 6(4), 385 0
4 MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性
详细信息 
林秀华
发光学报, 2000, 21(4), 324 0
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