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孙静, 微电子学, 2009, 39(1), 128-131 被引 4 次 

检索结果分布(4)
来源 年代 作者 学科
1. 核技术(1) 1. 2011(2) 1. 孙静 中国科学院新疆理化技术研究所(2) 1. 电子技术、通信技术(3)
2. 原子能科学技术(1) 2. 2013(1) 2. 任迪远 中国科学院新疆理化技术研究所(2) 2. 航天(宇宙航行)(1)
3. 微电子学(1) 3. 2010(1) 3. 崔江维 中国科学院新疆理化技术研究所(2)

    题名 作者 来源 被引频次
1 PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究
详细信息 
高博; 刘刚; 王立新
显示更多作者
原子能科学技术, 2013, 47(5), 848-853 0
2 PMOS辐照检测传感器总剂量效应模型研究
详细信息 
陈春林; 钟传杰; 于宗光
微电子学, 2011, 41(3), 428-432 0
3 p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究
详细信息 
高博; 余学峰; 任迪远
显示更多作者
物理学报, 2011, 60(6), 068702-1-068702-7 5
4 不同型号PMOSFETS的剂量率效应研究
详细信息 
兰博; 郭旗; 孙静
显示更多作者
核技术, 2010, 33(7), 543-546 0
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