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周宝霞, 半导体学报, 1996, 17(4), 289 被引 4 次 

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来源 年代 作者 学科
1. 核电子学与探测技术(1) 1. 2000(2) 1. 王燕萍 西北核技术研究所(3) 1. 原子能技术(2)
2. 计算物理(1) 2. 1997(1) 2. 耿斌 西北核技术研究所(3) 2. 电子技术、通信技术(2)
3. 半导体学报(1) 3. 1999(1) 3. 唐本奇 西北核技术研究所(3)

    题名 作者 来源 被引频次
1 功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟
详细信息 
唐本奇; 王燕萍; 耿斌
显示更多作者
原子能科学技术, 2000, 34(2), 161 1
2 功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法
详细信息 
唐本奇; 王燕萍; 耿斌
显示更多作者
计算物理, 2000, 17(1/2), 77 1
3 功率MOS器件单粒子烧毁效应的PSPICE模拟
详细信息 
唐本奇; 王燕萍; 耿斌
显示更多作者
核电子学与探测技术, 1999, 19(6), 422 2
4 功率MOSFET反向特性的分析模拟
详细信息 
周宝霞; 陈治明; 王守觉
半导体学报, 1997, 18(1), 32 4
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