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任迪远, 半导体学报, 2004, 25(6), 731-734 被引 4 次 

检索结果分布(4)
来源 年代 作者 学科
1. 核电子学与探测技术(1) 1. 2006(2) 1. 高嵩 中国科学院新疆理化技术研究所(2) 1. 电子技术、通信技术(4)
2. 半导体学报(1) 2. 2008(1) 2. 郭旗 中国科学院新疆理化技术研究所(2) 2. 航天(宇宙航行)(1)
3. 辐射研究与辐射工艺学报(1) 3. 2014(1) 3. 任迪远 中国科学院新疆理化技术研究所(2) 3. 物理学(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究
详细信息 
吴雪; 陆妩; 王信
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原子能科学技术, 2014, 48(10), 1886-1890 0
2 一种抗辐照功率MOSFET器件
详细信息 
刘梦新; 韩郑生; 刘刚
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核电子学与探测技术, 2008, 28(6), 1167-1170 1
3 SiGe HBT60Coγ射线辐照效应及退火特性
详细信息 
牛振红; 郭旗; 任迪远
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半导体学报, 2006, 27(9), 1608-1611 2
4 应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性
详细信息 
刘刚; 余学锋; 任迪远
显示更多作者
辐射研究与辐射工艺学报, 2006, 24(4), 201-204 0
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