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4 篇文献引用了这篇文献
任迪远,
半导体学报, 2004, 25(6), 731-734 被引 4 次
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检索结果分布(4)
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题名
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作者
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来源
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被引频次
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0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究
详细信息
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吴雪;
陆妩;
王信
显示更多作者
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原子能科学技术, 2014, 48(10), 1886-1890 |
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2
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一种抗辐照功率MOSFET器件
详细信息
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刘梦新;
韩郑生;
刘刚
显示更多作者
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核电子学与探测技术, 2008, 28(6), 1167-1170 |
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3
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SiGe HBT60Coγ射线辐照效应及退火特性
详细信息
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牛振红;
郭旗;
任迪远
显示更多作者
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半导体学报, 2006, 27(9), 1608-1611 |
2
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4
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应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性
详细信息
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刘刚;
余学锋;
任迪远
显示更多作者
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辐射研究与辐射工艺学报, 2006, 24(4), 201-204 |
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