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卢励吾, 半导体学报, 1992, 13(3), 155 被引 8 次 

检索结果分布(8)
来源 年代 作者 学科
1. 物理学报(5) 1. 1994(2) 1. 卢励吾 中国科学院半导体研究所(7) 1. 物理学(6)
2. 半导体学报(3) 2. 1993(2) 2. 周洁 中国科学院半导体研究所(6) 2. 电子技术、通信技术(3)
3. 1996(1) 3. 徐俊英 中国科学院半导体研究所(3)

    题名 作者 来源 被引频次
1 分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别
详细信息 
卢励吾; 张砚华; Wang J
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物理学报, 2002, 51(2), 372-376 5
2 质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响
详细信息 
黄万霞; 林理彬; 曾一平
显示更多作者
半导体学报, 1999, 20(11), 957 5
3 InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为
详细信息 
卢励吾; 封松林; 周洁
显示更多作者
半导体学报, 1996, 17(7), 493 0
4 MBE和MOCVD生长的AlGaAs/GaAs GRIN-SCH SQW激光器深中心的比较
详细信息 
卢励吾; 周洁; 封松林
显示更多作者
物理学报, 1995, 44(8), 1249 0
5 低压-金属有机物汽相外延生长的Ga↓(1-x)In↓xAs/InP激光器中深能级的研究
详细信息 
卢励吾; 周洁; 封松林
显示更多作者
物理学报, 1994, 43(5), 779 0
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