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陈诺夫, 科学通报, 2001(24), 2035 被引 6 次 

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来源 年代 作者 学科
1. 功能材料与器件学报(2) 1. 2002(2) 1. 张富强 中国科学院半导体研究所(2) 1. 物理学(3)
2. 科学通报(2) 2. 2008(1) 2. 林兰英 中国科学院半导体研究所(2) 2. 电子技术、通信技术(3)
3. 人工晶体学报(1) 3. 2006(1) 3. 陈诺夫 中国科学院半导体研究所(2)

    题名 作者 来源 被引频次
1 SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析
详细信息 
于国建; 徐明升; 胡小波
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人工晶体学报, 2014, 43(5), 1017-1022 1
2 沉积温度对氧化钇稳定氧化锆薄膜残余应力的影响
详细信息 
肖祁陵; 贺洪波; 邵淑英
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光学学报, 2008, 28(5), 1007-1011 7
3 高质量GaN/Al_2O_3薄膜的三晶高分辨X射线衍射研究
详细信息 
肖祁陵; 张萌; 王立
功能材料与器件学报, 2006, 12(6), 524-528 0
4 ZnO/GaN/Al_2O_3的X射线双晶衍射研究
详细信息 
戴江南; 王立; 方文卿
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功能材料与器件学报, 2004, 10(4), 427-431 1
5 电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布
详细信息 
张秀兰; 张富强; 宋书林
显示更多作者
科学通报, 2002, 47(17), 1299-1301 1
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