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Wang Xiaoliang, 半导体学报, 2006, 27(9), 1521-1525 被引 3 次 

检索结果分布(3)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报(1) 1. 2008(1) 1. Xiao Hongling 中国科学院半导体研究所(2) 1. 电子技术、通信技术(2)
2. Journal of Semiconductors(1) 2. 2007(1) 2. Wang Xiaoliang 中国科学院半导体研究所(2) 2. 物理学(1)
3. CHINESE PHYSICS LETTERS(1) 3. 2015(1) 3. TANG Jian 中国科学院半导体研究所(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 The influence of Fe doping on the surface topography of GaN epitaxial material
详细信息 
Cui Lei; Yin Haibo; Jiang Lijuan
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Journal of Semiconductors, 2015, 36(10), 103002-1-103002-4 4
2 AlGaN/GaN型气敏传感器对于C0的响应研究
详细信息 
冯春; 王晓亮; 王新华
显示更多作者
半导体学报, 2008, 29(7), 1387-1390 0
3 Growth and Characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMT Structures with a Compositionally Step-Graded AlGaN Barrier Layer
详细信息 
MA ZhiYong; WANG XiaoLiang; HU GuoXin
显示更多作者
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 24(6), 1705-1708 5
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