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王引书, 物理学报, 2000, 49(11), 2210 被引 1 次 

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来源 年代 作者 学科
1. 物理学报(1) 1. 2001(1) 1. 林兰英 中国科学院半导体研究所(1) 1. 金属学与金属工艺(1)
2. 王衍斌 中国科学院近代物理研究所(1)
3. 孙国胜 中国科学院半导体研究所(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响
详细信息 
王引书; 李晋闽; 王衍斌
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物理学报, 2001, 50(7), 1329 3
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