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曹昕, 半导体学报, 2000, 21(9), 934 被引 2 次 

检索结果分布(2)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报(2) 1. 2004(2) 1. 和致经 中国科学院微电子研究所(1) 1. 电子技术、通信技术(2)
2. 魏珂 中国科学院微电子研究所(1)
3. Zheng Yingkui 中国科学院微电子研究所(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT
详细信息 
陈震; 和致经; 魏珂
显示更多作者
半导体学报, 2004, 25(4), 454-457 0
2 Device Characteristics Comparison Between GaAs Single and Double Delta-Doped Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors
详细信息 
Chen Zhen; Zheng Yingkui; Liu Xinyu
显示更多作者
半导体学报, 2004, 25(3), 247-251 1
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