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曹昕,
半导体学报, 2000, 21(9), 934 被引 2 次
检索结果分布(2)
来源
年代
作者
学科
1. 半导体学报(2)
1. 2004(2)
1. He Zhijing 中国科学院微电子研究所(1)
1. 电子技术、通信技术(2)
2. Wu Dexin 中国科学院微电子研究所(1)
3. 魏珂 中国科学院微电子研究所(1)
题名
作者
来源
被引频次
1
新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT
详细信息
陈震;
和致经;
魏珂
刘新宇;
吴德馨
显示更多作者
半导体学报, 2004, 25(4), 454-457
0
2
Device Characteristics Comparison Between GaAs Single and Double Delta-Doped Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors
详细信息
Chen Zhen;
Zheng Yingkui;
Liu Xinyu
He Zhijing;
Wu Dexin
显示更多作者
半导体学报, 2004, 25(3), 247-251
1
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