共有
4 篇文献引用了这篇文献
黄大定,
半导体学报, 1999, 20(12), 1049 被引 4 次
|
检索结果分布(4)
|
|
|
题名
|
作者
|
来源
|
被引频次
|
|
|
1
|
3UCVD SiGe工艺的神经网络模型
详细信息
|
李培咸;
孙建诚;
胡辉勇
|
真空科学与技术学报, 2002, 22(1), 61-64 |
0
|
|
|
2
|
GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料
详细信息
|
邹德恕;
徐晨;
陈建新
显示更多作者
|
半导体学报, 2001, 22(8), 1035 |
0
|
|
|
3
|
采用高真空 /快速热处理 /化学气相淀积外延SiGe HBT结构（英文）
详细信息
|
贾宏勇;
林惠旺;
陈培毅
显示更多作者
|
半导体学报, 2001, 22(3), 251 |
0
|
|
|
4
|
Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method
详细信息
|
林燕霞;
黄大定;
张秀兰
显示更多作者
|
半导体学报, 2000, 21(11), 1050 |
0
|
|
