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马书懿, 物理学报, 2001, 50(8), 1580 被引 9 次 

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来源 年代 作者 学科
1. 物理学报(4) 1. 2008(2) 1. 张培 华侨大学(1) 1. 物理学(8)
2. 四川大学学报. 自然科学版(1) 2. 2012(2) 2. 池田弥央 日本广岛大学(1) 2. 电子技术、通信技术(1)
3. 半导体技术(1) 3. 2017(1) 3. 陈寒娴 云南大学(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 非对称双轴张应变对锗能带的影响
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戴中华; 钱一辰; 谢耀平
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物理学报, 2017, 66(16), 167101-1-167101-11 0
2 N型掺杂应变Ge发光性质
详细信息 
黄诗浩; 李成; 陈城钊
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物理学报, 2012, 61(3), 036202-1-036202-8 6
3 Ge,Al共掺SiO_2薄膜的发光性能研究
详细信息 
陈虎; 王加贤; 张培
半导体技术, 2012, 37(3), 212-215,234 1
4 AuSi_x(x=1/2,1/7)纳米颗粒的制备及光致发光性能研究
详细信息 
黄立娟; 王磊; 杜军
光学学报, 2010, 30(8), 2338-2343 1
5 锗/多孔硅和锗/氧化硅薄膜光致发光的比较研究
详细信息 
孙小菁; 马书懿; 魏晋军
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光谱学与光谱分析, 2008, 28(9), 2033-2037 2
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