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周文政, 物理学报, 2007, 56(7), 4143-4147 被引 2 次 

检索结果分布(2)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体技术(1) 1. 2010(2) 1. 高矿红 中国科学院上海技术物理研究所(1) 1. 物理学(1)
2. 物理学报(1) 2. 戴宁 中国科学院上海技术物理研究所(1) 2. 电子技术、通信技术(1)
3. 林铁 中国科学院上海技术物理研究所(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究
详细信息 
周远明; 俞国林; 高矿红
显示更多作者
物理学报, 2010, 59(6), 4221-4225 1
2 GaAs PHEMT材料中2DEG浓度的控制与测试研究
详细信息 
吕晶; 杨瑞霞; 武一宾
显示更多作者
半导体技术, 2010, 35(2), 116-120 0
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