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袁瑞霞, 半导体学报, 1994, 15(5), 312 被引 1 次 

检索结果分布(1)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报（1） 1. 1996（1） 1. 李晓兵 中国科学院半导体研究所（1） 1. 物理学（1）
2. 袁瑞霞 中国科学院半导体研究所（1）
3. 曾一平 中国科学院半导体研究所（1）

    题名 作者 来源 被引频次
1 气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料
详细信息  		袁瑞霞; 阎春辉; 国红熙
显示更多作者 		半导体学报, 1996, 17(1), 6 1
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