帮助 关于我们

共有 篇文献引用了这篇文献
袁瑞霞, 半导体学报, 1994, 15(5), 312 被引 1 次 

检索结果分布(1)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报(1) 1. 1996(1) 1. 阎春辉 中国科学院半导体研究所(1) 1. 物理学(1)
2. 朱世荣 中国科学院半导体研究所(1)
3. 国红熙 中国科学院半导体研究所(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料
详细信息 
袁瑞霞; 阎春辉; 国红熙
显示更多作者
半导体学报, 1996, 17(1), 6 1
版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护:中国科学院文献情报中心
地址:北京中关村北四环西路33号 邮政编码:100190 联系电话:(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4