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用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度
Reduction of Stacking Fault Density in Cubic GaN Epilayers via Epitaxial Lateral Overgrowth
查看参考文献10篇
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文摘
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尝试用侧向外延（ELOG）方法来降低立方相GaN中的层错密度。侧向外延是在SiO_2/GaN/GaAs图像形底上进行的，对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）进行了观察和分析，TEM的平面像表明经过ELOG方法生长后，立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的5 * 10~9cm~(-2)降低至生长后的6 * 10~8cm~(-2)。双晶X射线衍射（DCXRD）测量给出侧向外延前后外延层ω扫描（002）衍射摇摆曲线的半高宽（FWHM）分别为33’和17.8’，表明晶体质量有了较大改善。对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论。 |
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其他语种文摘
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Epitaxial lateral overgrown (ELOG) cubic GaN (c-GaN) on patterned SiO_2/GaN/GaAs(001) substrates by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) is investigated using transmission electron microscope (TEM) and scanning electron microscope (SEM). TEM observations show a substantial reduction of stacking fault density in ELOG c-GaN, compared to that in conventional two-step grown c-GaN. The reduction mechanism of stacking faults in cubic GaN layers via lateral epitaxy is discussed. |
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来源
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半导体学报
,2002,23(10):1093-1097 【核心库】
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关键词
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立方相GaN
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MOVPE
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侧向外延
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SEM
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TEM
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地址
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中国科学院半导体研究所, 集成光电子国家重点实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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0253-4177 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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基金
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国家自然科学基金
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国家自然科学基金委员会-香港研究资助局（NSFC-RGC）联合科研基金
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文献收藏号
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CSCD:986330
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参考文献 共
10
共1页
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