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干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展

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来源 科学通报 ,1989,34(22):1681 【核心库】
关键词 半导体材料 ; 干法刻蚀 ; Ⅲ-Ⅴ化合物
地址

中科院半导体所, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0023-074X
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:96195

参考文献 共 1 共1页

1.  李晓明. 半导体情报,1987,4:30 被引 1    
引证文献 1

1 温涛 反应离子刻蚀InSb芯片引入的损伤研究 激光与红外,2010,40(6):622-624
被引 1

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