帮助 关于我们

返回检索结果

哑铃形碳化硅晶须生长的机理
Growth mechanism of dumbbell-shaped biomimetic SiC whiskers

查看参考文献7篇

文摘 研究了仿生哑铃形碳化硅晶须要生长机理,发现组成仿生晶须的念珠状小球与直杆状碳化硅晶须的生成过程是相对独立的。而且念珠状小球在直杆状晶须上的长生位置是一定的。首先,直杆状面料化硅晶须在反应空间中生成;然后由Si、SiO、SiO_2等组成的非晶态物质在直杆状晶须上的缺陷位置沉积长大。形成包裹在晶须上的念珠状小球,念珠状小球不仅可以在制备碳化硅晶须的过程中生成。而且能够在已有的碳化硅和钛酸钾等晶须上生成。
其他语种文摘 The growth mechanism of dumbbell-shaped SiC whiskers was proposed according to the results of direct and indirect experiments. The direct experiment was designed to change the reaction time from 10 min to 4 h, and in the indirect experiments the commercial SiC and K_2O·6TiO_2 whiskers were used to investigate whether beads grow on their surface or not. It was found that the growths of the SiC whiskers and beads composing the biomimetic SiC whiskers were independent. First the whisker grew up in the furnace, then the amorphous materials composed of Si, SiO and SiO_2 began to deposit on the stacking faults of the grown whiskers and formed beads encircled the whiskers. Moreover, the beads also can be formed on the commercial SiC and K_2O·6TiO_2 whiskers.
来源 材料研究学报 ,2002,16(2):136-140 【核心库】
关键词 SiC晶须 ; 仿生 ; 生长机理
地址

中国科学院金属研究所

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1005-3093
学科 晶体学
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:961178

参考文献 共 7 共1页

1.  Zhou B L. Metals and Materials Society,1994,2:57 被引 2    
2.  白朔. 材料研究学报,1999,13(3):293 被引 2    
3.  白朔. 材料研究学报,1999,14(5):469 被引 1    
4.  S R Nutt. J Am Ceram Soc,1988,71(3):149 被引 6    
5.  K M Knowles. J Am Ceram Soc,1997,80(5):1165 被引 1    
6.  Wang L. J Mater Res,1992,7(1):148 被引 5    
7.  Zheng J. J Am Ceram Soc,2000,83(12):2961 被引 3    
引证文献 10

1 胡巧玲 仿生结构材料的研究进展 材料研究学报,2003,17(4):337-344
被引 18

2 郝雅娟 碳热还原制备不同形貌的碳化硅纳米线 无机化学学报,2006,22(10):1833-1837
被引 10

显示所有10篇文献

论文科学数据集
PlumX Metrics
相关文献

 作者相关
 关键词相关
 参考文献相关

版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护:中国科学院文献情报中心
地址:北京中关村北四环西路33号 邮政编码:100190 联系电话:(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号