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透明导电膜ZnO:Al(ZAO)的组织结构与特性
Microstructure and properties of transparent conductive oxide ZnO:Al(ZAO) thin films

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文摘 ZnO:Al(ZAO)是一种简并半导体氧化物薄膜材料,具有高的载流子浓度和大的光学禁带宽度,因而具有优异的电学和光学性能,极具应用价值。对于其能级高度简并的ZAO半导体薄膜材料,在较低的温度下,离化杂质散射占主导地位;在较高的温度下,晶格振动散射将成为主要的散射机制;晶界散射仅当晶粒尺寸较小(与电子的平均自由程相当)时才起作用。本文介绍了ZAO薄膜的制备方法、晶体结构特性、电学和光学性能以及载流子的散射机制。
其他语种文摘 ZnO:Al(ZAO) is one of highly degenerate semi-conductive oxide films. Due to both high carrier concentration and large optical band gap, ZnO:Al has outstanding electrical and optical properties, and is emerging as a most potential alternative candidate for transparent conducting materials. The crystal structure and preparation of Al-doped ZnO films, as well as their electrical and optical properties and corresponding scattering mechanism are summarized in this paper. For highly degenerate ZnO:Al semiconductor thin films, it was revealed that the ionized impurity scattering dominated the hall mobility of this in the low-temperature range; while the lattice vibration became a major scattering mechanism in the high-temperature range. The grain boundary scattering only played a major role in the ZAO films with small grain size (as compared to the electron mean free path). The proposal for the future research is also offered.
来源 材料研究学报 ,2002,16(2):113-120 【核心库】
关键词 透明导电氧化物 ; 简并半导体 ; ZAO薄膜 ; 散射机制 ; 电学光学性质
地址

中国科学院金属研究所

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1005-3093
学科 一般工业技术
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:961173

参考文献 共 60 共3页

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引证文献 11

1 骆英民 热退火对电子束蒸镀方法制备的ZnO:Al薄膜光电性质的影响 人工晶体学报,2004,33(5):776-780
被引 0 次

2 王华 氧化锌铝薄膜的光电特性、制备技术及应用 电子元件与材料,2005,24(5):59-62
被引 3

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