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快速响应SOI马赫曾德热光调制器
Mach-Zehnder Interferometer Thermo-Optical Modulator with Fast Response

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魏红振 1   余金中 1   夏金松 1   严清峰 1   刘忠立 1   房昌水 2  
文摘 给出了Y分支MZI热光调制器的模型,实验研制了基于SOI(silicon-on-insulator)的MZI热光调制器,调制器的消光比为16.5dB,开关的上升时间为10μs,下降时间为20μs,相应的功耗为0.39W
其他语种文摘 A Mach-Zehnder interferometer thermo-optical modulator based on SOI (silicon-on-insulator) is reported. At operating wavelength 1.55μm, the measured extinction ratio is -16.5dB with a rising time of 10μs and down time of 20μs, while power consumption with π phase shift is about 0.39W.
来源 半导体学报 ,2002,23(5):509-512 【核心库】
关键词 集成光学 ; 调制器 ; SOI ; 热光开关
地址

1. 中国科学院半导体研究所, 集成光电子学国家重点实验室, 北京, 100083  

2. 山东大学人工晶体研究所, 济南, 250100

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金 ;  国家973计划
文献收藏号 CSCD:955376

参考文献 共 7 共1页

1.  Soref R A. Large single-mode rib waveguide in GeSi and Si-on-SiO. IEEE J Quantum Electron,1991,27:1971 被引 57    
2.  Jalali B. Advances in silicon-on-insulator optoelectronics. IEEE J Selected Topics in Quantum Electronics,1998,4(6):938 被引 10    
3.  Mayer S T. Thin-film thermo-optical Ge_x-Si_(1-x) Mach-Zehnder interferometer. Opt Lett,1992,17(24):1812 被引 1    
4.  Treyz G V. Silicon Mach-Zehnder waveguide interferometers operating at 1.3μm. Electron Lett,1991,27(2):118 被引 4    
5.  赵策洲. 半导体导波光学器件理论及技术,1998:178 被引 2    
6.  Fisher U. Singlemode optical switches based on SOI waveguides with large cross-section. Electron Lett,1994,30(5):406 被引 3    
7.  Cocorullo G. Temperature depen-dence of the thermo-optic coefficient in crystalline silicon between room temperature and 550K at the wavelength of 1523nm. Appl Phys Lett,1999,74(22):3338 被引 17    
引证文献 4

1 Wang Zhangtao Design and Fabrication of Thermo-Optic 4×4 Switching Matrix in Silicon-on-Insulator 半导体学报,2004,25(12):1573-1575
被引 2

2 王章涛 SOI热光调制器 半导体学报,2004,25(10):1315-1318
被引 2

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