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Calculation of Valence Subband Structures for Strained Quantum-Wells by Plane Wave Expansion Method Within 6 * 6 Luttinger-Kohn Model
用6 * 6 Luttinger-Kohn模型和平面波展开方法计算应变量子阱材料的价带结构

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文摘 The valence subband energies and wave functions of a tensile strained quantum well are calculated by the plane wave expansion method within the 6 * 6 Luttinger-Kohn model. The effect of the number and period of plane-waves used for expansion on the stability of energy eigenvalues is examined. For practical calculation, it should choose the period large sufficiently to ensure the envelope functions vanish at the boundary and the number of plane waves large enough to ensure the energy eigenvalues keep unchanged within a prescribed range.
其他语种文摘 用6 * 6 Luttinger-Kohn模型结合平面波展开方法计算了应变量子阱材料的价带结构,分析了用来展开的平面波的数目和周期对能量本征值的影响。在实际计算中,平面波的周期必须选择足够大以保证包络函数在边界处消失,同时平面波的数目必须足够多以保证计算结果达到预定的精度。
来源 半导体学报 ,2002,23(6):577-581 【核心库】
关键词 semiconductor optical amplifier ; strained quantum well ; plane wave expansion method ; polarization
地址

Institute of Semiconductors, The Chinese Academy of Sciences, State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, 北京, 100083

语种 英文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家973计划
文献收藏号 CSCD:954465

参考文献 共 4 共1页

1.  Chuang S L. Physics of optoelectronic devices,1995 被引 31    
2.  Chao C Y P. Phys Rev B,1992,46:4110 被引 6    
3.  Chang C S. IEEE J Select Topics Quantum Electron,1995,1:218 被引 13    
4.  Li Shushen. Acta Physica Sinica (overseas edition),1997,6:848 被引 2    
引证文献 2

1 杨红官 P沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列 半导体学报,2004,25(2):179-184
被引 2

2 Han Chunlin Measurement of Cavity Loss and Quasi-Fermi-Level Separation for Fabry-Perot Semiconductor Lasers 半导体学报,2003,24(8):789-793
被引 1

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