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太空生长掺Te-GaAs单晶的结构缺陷观测

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来源 半导体学报 ,1989,10(1):76 【核心库】
关键词 GaAs ; 太空生长 ; 位错 ; 微缺陷
地址

中科院半导体所, 北京

语种 中文
文献类型 简报
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:85758

参考文献 共 4 共1页

1.  蒋四南. 半导体学报,1982,3:277 被引 1 次    
2.  周伯骏. 半导体学报,1988,9:548 被引 6 次    
3.  王占国. 半导体学报,1988,9:553 被引 2 次    
4.  团体著者. 砷化镓及有关化合物会议论文集,1981 被引 1 次    
引证文献 2 篇

1 石志文 空间生长GaAs单晶做衬底的GaAs/AlGaAs DH激光器 半导体学报,1990,11(10):795
被引 0 次

2 蒋四南 在微重力下生长的GaAs:Si单晶结构缺陷的X射线研究 半导体学报,1995,16(3):167
被引 0 次

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