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Au、Al/a-Si:H热退火行为研究

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金澍 1   刘洪图 1   赵特秀 1   吴志强 1   沈波 1   许振嘉 2  
来源 半导体学报 ,1989,10(3):186 【核心库】
关键词 非晶硅 ; 金属诱导晶化 ; 热退火
地址

1. 中国科学技术大学, 安徽, 合肥  

2. 中科院半导体所, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:85727

参考文献 共 1 共1页

1.  刘洪图. 中国科学技术大学学报,1988,18:38 被引 1 次    
引证文献 1 篇

1 沈波 Pd/a-Si∶H界面反应研究 半导体学报,1990,11(8):578
被引 0 次

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