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a-Si:H带尾态的光致变化

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来源 半导体学报 ,1989,10(6):479 【核心库】
关键词 a-Si:H ; 光致变化
地址

中科院半导体所, 北京

语种 中文
文献类型 简报
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:85679

参考文献 共 1 共1页

1.  秦国刚. 半导体学报 被引 1 次    
引证文献 2 篇

1 刘湘娜 纳米硅薄膜光吸收谱的研究 物理学报,1993,42(12):1979
被引 5 次

2 孔光临 非晶硅薄膜的光膨胀效应 物理,1998,27(5):257
被引 1 次

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