帮助 关于我们

返回检索结果

硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器

查看参考文献1篇

来源 半导体学报 ,1989,10(12):960 【核心库】
关键词 半导体 ; 激光器 ; 光电集成 ; 量子阱 ; 硅
地址

1. 中科院半导体所, 北京  

2. 日本名古屋工业大学, 日本

语种 中文
文献类型 简报
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:85628

参考文献 共 1 共1页

1.  王启明. 半导体学报,1980,1(1):46 被引 1 次    
引证文献 1 篇

1 卢励吾 MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱和多量子阱激光器深能级研究 半导体学报,1992,13(3):155
被引 8 次

显示所有1篇文献

论文科学数据集
PlumX Metrics
相关文献

 作者相关
 关键词相关
 参考文献相关

版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护：中国科学院文献情报中心
地址：北京中关村北四环西路33号 邮政编码：100190 联系电话：(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号