|
|
SiC材料及器件研制的进展
查看参考文献5篇
|
文摘
|
作为第三代的半导体材料—SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。文章综述了半导体SiC材料生长及其器件研制的概况。 |
|
来源
|
物理
,2000,29(8):481 【核心库】
|
|
关键词
|
SiC材料
;
外延生长
;
SiC器件
|
|
地址
|
中科院半导体所, 北京, 100083
|
|
语种
|
中文 |
|
ISSN
|
0379-4148 |
|
学科
|
电子技术、通信技术 |
|
基金
|
国家自然科学基金
|
|
文献收藏号
|
CSCD:783614
|
参考文献 共
5
共1页
|
|
1.
Wang Y S.
J Cryst Growth,1999,201/202:564
|
被引
4
次
|
|
|
|
|
2.
Wang Y S.
Appl Surf Sci,1999,148:189
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
3.
王引书.
半导体学报,1999,20:6
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
4.
张玉明. n型6H-SiC体材料欧姆接触的制备.
半导体学报,1997,18:718
|
被引
10
次
|
|
|
|
|
5.
Zhou G L.
J Cryst Growth,1993,134:167
|
被引
3
次
|
|
|
|
|
|
了解气象卫星更多信息，请访问