我国半导体物理研究进展
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文摘
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简单地回顾了近年来我国半导体物理研究的进展。它包括三个方面：半导体超晶格、微结构；半导体表面、界面和杂质、缺陷；以及半导体新材料、新结构。这些进展说明，半导体物理研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地位，它仍是一门年轻的、富有生命力的学科，预期在将来有更大的发展。 |
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来源
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物理
,1999,28(9):525 【核心库】
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关键词
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半导体
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超晶格
;
微结构
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地址
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中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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ISSN
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0379-4148 |
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学科
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物理学 |
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基金
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国家攀登计划项目
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文献收藏号
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CSCD:783482
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参考文献 共
19
共1页
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1.
黄昆. 半导体超晶格和微结构.
物理,1991,20:321
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被引
3
次
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2.
Zhang S L.
Phys Rev B,1995,52:1477
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被引
5
次
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3.
Jin K J.
Phys Rev B,1994,50:8584
|
被引
1
次
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4.
Shen D Z.
J Luminescence,1991,48/49:299
|
被引
5
次
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5.
Lei X L.
Phys Rev B,1995,51:5184
|
被引
3
次
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6.
Ke S H.
Phys Rev B,1994,49:10495
|
被引
11
次
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7.
Gu B Y.
Phys Rev B,1992,46:13274
|
被引
1
次
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8.
Niu C.
Phys Rev B,1995,51:5130
|
被引
6
次
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9.
Gai Z.
Phys Rev B,1998,57:R6795
|
被引
2
次
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10.
Shen S C.
Phys Rev B,1994,49:5300
|
被引
3
次
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11.
Li A Z.
J Cryst Growth,1993,127:566
|
被引
4
次
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12.
Zhou J M.
Appl Phys Lett,1996,68:628
|
被引
1
次
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13.
Feng W.
J Appl Phys,1996,79:7404
|
被引
1
次
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14.
Liu J L.
Appl Phys Lett,1996,68:352
|
被引
2
次
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15.
Chen K J.
Appl Phys Lett,1992,61:2069
|
被引
21
次
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16.
Wang X.
Phys Rev Lett,1993,71:1265
|
被引
8
次
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17.
Qin G G.
Solid State Commun,1993,86:559
|
被引
64
次
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18.
李名复.
半导体物理学,1991
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被引
5
次
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19.
谢希德.
固体能带理论,1998
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被引
26
次
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