共溅射和离子注入制备的SiO_2（Eu）薄膜中Eu~（3＋）到Eu~（2＋）的转变

刘丰珍 ¹ 朱美芳 ¹ 刘涛 ² 李秉程 ³

文摘	采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO_2方法得到SiO_2(Eu)薄膜，Eu离子的浓度为4%和0.5%。对样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究和分析表明，在高温氮气中发生了Eu~(3+)向Eu~(2+)的转变。SiO_2(Eu)薄膜高温氮气退火下蓝光的发射证明了这一结论。
来源	物理学报 ,2001,50(3):532 【核心库】
DOI	10.7498/aps.50.532
关键词	SiO_2(Eu)薄膜 ; XANES
地址	1. 中国科学技术大学研究生院物理系, 稀土材料化学及应用国家重点实验室, 安徽, 100039 2. 中科院高能物理所, 同步辐射国家实验室, 北京, 100039 3. 中科院半导体所, 北京, 100083
语种	中文
ISSN	1000-3290
学科	电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:782937

参考文献共 1 共1页

1. 王亮. 铕离子注入氧化硅膜光发射的研究. 半导体学报,1999,20:841

被引 1 次

引证文献 2 篇

1 许北雪镧与真空沉积银纳米粒子的金属间化合物理学报,2002,51(7):1649-1653
被引 3 次

2 范江玮 XAFS和XRD研究高能球磨对Fe70Cu30合金结构的影响物理学报,2004,53(2):514-520
被引 2 次

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