(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究
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文摘
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采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺,以高H_2稀释的SiH_4作为反应气体源和PH_3作为磷原子的参杂剂,在p型(100)单晶硅C(p)c-Si)衬底上,成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜C(n)nc-Si:H),进而制备了(n)nc-Si;H/(p)c-Si异质结,并在230-420K温度范围内实验研究了该异质结的I-V特性。结果表明,(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结为一典型的突变异质结构,具有良好的温度稳定性和整流特性。正向偏压下,该异质结的电流输运机理为复合-隧穿模型。当正向偏压V_F<0.8V时,电流输运过程由复合机理所支配;而当V_F>1.0V时由隧穿机理决定。反向偏压下,该异质结具有良好的反向击穿持性。 |
来源
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物理学报
,2000,49(12):2466 【核心库】
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DOI
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10.7498/aps.49.2466
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关键词
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(n)nc-si
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H/(p)c-Si异质结
;
能带模型
;
电流输运机构
;
温度特性
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地址
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1.
河北大学电子信息工程学院, 河北, 保定, 071002
2.
中科院上海冶金所, 上海, 200050
3.
南京大学物理系, 江苏, 南京, 210093
4.
中科院微电子中心, 北京, 100029
5.
中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
ISSN
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1000-3290 |
学科
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物理学 |
文献收藏号
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CSCD:782829
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参考文献 共
10
共1页
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1.
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