帮助 关于我们

返回检索结果

(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究

查看参考文献10篇

彭英才 1   徐刚毅 2   何宇亮 3   刘明 4   李月霞 5  
文摘 采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺,以高H_2稀释的SiH_4作为反应气体源和PH_3作为磷原子的参杂剂,在p型(100)单晶硅C(p)c-Si)衬底上,成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜C(n)nc-Si:H),进而制备了(n)nc-Si;H/(p)c-Si异质结,并在230-420K温度范围内实验研究了该异质结的I-V特性。结果表明,(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结为一典型的突变异质结构,具有良好的温度稳定性和整流特性。正向偏压下,该异质结的电流输运机理为复合-隧穿模型。当正向偏压V_F<0.8V时,电流输运过程由复合机理所支配;而当V_F>1.0V时由隧穿机理决定。反向偏压下,该异质结具有良好的反向击穿持性。
来源 物理学报 ,2000,49(12):2466 【核心库】
DOI 10.7498/aps.49.2466
关键词 (n)nc-si ; H/(p)c-Si异质结 ; 能带模型 ; 电流输运机构 ; 温度特性
地址

1. 河北大学电子信息工程学院, 河北, 保定, 071002  

2. 中科院上海冶金所, 上海, 200050  

3. 南京大学物理系, 江苏, 南京, 210093  

4. 中科院微电子中心, 北京, 100029  

5. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083

语种 中文
ISSN 1000-3290
学科 物理学
文献收藏号 CSCD:782829

参考文献 共 10 共1页

1.  彭英才. nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析. 半导体学报,1998,19:583 被引 3    
2.  彭英才. 真空科学与技术学报,1998,18:283 被引 4    
3.  G Y Hu. Phys Rev,1999,B59:15352 被引 1    
4.  彭英才. 掺杂nc-Si∶H膜的电导特性. 半导体学报,2000,21:308 被引 5    
5.  He Y L. J Appl Phys,1994,75:797 被引 33    
6.  彭英才. 纳米硅薄膜研究的最新进展. 稀有金属,1999,23:42 被引 10    
7.  虞丽生. 半导体异质结构物理,1990 被引 18    
8.  何宇亮. 纳米硅薄膜中的量子点特征. 自然科学进展,1996,6(6):700 被引 13    
9.  叶良修. 半导体物理学.上,1983 被引 7    
10.  何宇亮. 物理学报,1997,46(8):1836 被引 3    
引证文献 2

1 董国义 微波吸收法研究Mn,Cu掺杂对ZnS:Mn,Cu 光生载流子复合过程的影响 物理学报,2003,52(3):745-750
被引 17

2 王权江 氢化硅薄膜介观力学行为及其与微结构内禀关联特性 物理学报,2007,56(8):4834-4840
被引 0 次

显示所有2篇文献

论文科学数据集
PlumX Metrics
相关文献

 作者相关
 关键词相关
 参考文献相关

iAuthor 链接
刘明 0000-0001-7995-4883
版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护:中国科学院文献情报中心
地址:北京中关村北四环西路33号 邮政编码:100190 联系电话:(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号