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不同组分In_xGa_(1-x)As(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响

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王晓东 1   刘会？ 2   牛智川 1   封松林 1  
文摘 研究了不同In组分的In_xGa_(1-x)As(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响。透射电子显微镜和原子力显微表明，InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小，并且x=0.3时，InGaAs在InAs量子点上继续成岛。随x值的增大，量子点的光荧光峰红移，但随温度的变化发光峰峰位变化不明显。理论分析表明InAs量子点所受应力及其均匀性的变化分别是导致上述现象的主要原因。
来源 物理学报 ,2000,49(11):2230 【核心库】
DOI 10.7498/aps.49.2230
关键词 量子点 ; 盖层 ; 应力 ; 红移
地址

1. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083  

2. 中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083

语种 中文
ISSN 1000-3290
学科 物理学
基金 国家攀登计划项目 ;  国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:782786

参考文献 共 5 共1页

1.  王志明. 自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究. 物理学报,1998,47:89 被引 8 次    
2.  Yao J Y. J Appl Phys,1996,69:2224 被引 1 次    
3.  王志明. 不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响. 半导体学报,1997,18:714 被引 6 次    
4.  夏建白. 半导体超晶格物理,1995 被引 39 次    
5.  Xu Z Y. Phys Rev,1996,B54:11528 被引 3 次    
引证文献 4 篇

1 邓宁 Si组分对SiGe量子点形状演化的影响 物理学报,2004,53(9):3136-3140
被引 4 次

2 王防震 CdSe/ZnSe超薄层中两类量子岛(点)之间的激子转移和它们的光学性质研究 物理学报,2005,54(1):434-438
被引 1 次

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封松林 0000-0001-5515-2034
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