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SIN~+GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究

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金鹏 1   潘士宏 1   梁基本 2  
文摘 利用傅里叶变换(FT)方法,对Franz-Keldysh振荡(FKO)的理论线性作了详细的数值模拟,并用光调制反射谱(PR)测量了一组本征层(I层)厚度不同的表面-本征层n-型重掺杂层(SIN~+)结构的GaAs样品的FKO.PR谱的FT分析表明,一部分样品的FT谱,包括其实部、虚部和模,与理论线性符合得比较好,由此求出轻空空(LH)和重空穴(HH)的约化质量平方根之比μ_1~(1/2)/(μ_h)~(1/2)对不同样品在0.805-0.816之间,同时也可以求出样品中的内建电场强度F_1,和调制光引起的调制电场δF=F_1-F_2。有一些样品的FT谱实部和虚部与理论线性差别很大,用FT的模仍可以给出有用的信息。
来源 物理学报 ,2000,49(9):1821 【核心库】
DOI 10.7498/aps.49.1821
关键词 Franz-Keldysh振荡 ; 傅里叶变换 ; GaAs
地址

1. 南开大学物理系, 天津, 300071  

2. 中科院半导体所, 北京, 100083

语种 中文
ISSN 1000-3290
学科 物理学
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:782711

参考文献 共 7 共1页

1.  Shen H. J Appl Phys,1995,78:2151 被引 5    
2.  Wang D P. Appl Phys Lett,1995,67:2069 被引 1    
3.  Wang D P. J Appl Phys,1998,83:476 被引 1    
4.  Chang W H. J Appl Phys,1998,83:7873 被引 1    
5.  Chiou S J. J Appl Phys,1999,85:3770 被引 1    
6.  潘士宏. 应变层In↓xGa↓(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究. 半导体学报,1992,13:343 被引 2    
7.  Shen H. Appl Phys Lett,1991,59:321 被引 1    
引证文献 1

1 包志华 显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+△_0光学性质 物理学报,2007,56(7):4213-4217
被引 0 次

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