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SIN~+GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究
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文摘
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利用傅里叶变换(FT)方法,对Franz-Keldysh振荡(FKO)的理论线性作了详细的数值模拟,并用光调制反射谱(PR)测量了一组本征层(I层)厚度不同的表面-本征层n-型重掺杂层(SIN~+)结构的GaAs样品的FKO.PR谱的FT分析表明,一部分样品的FT谱,包括其实部、虚部和模,与理论线性符合得比较好,由此求出轻空空(LH)和重空穴(HH)的约化质量平方根之比μ_1~(1/2)/(μ_h)~(1/2)对不同样品在0.805-0.816之间,同时也可以求出样品中的内建电场强度F_1,和调制光引起的调制电场δF=F_1-F_2。有一些样品的FT谱实部和虚部与理论线性差别很大,用FT的模仍可以给出有用的信息。 |
来源
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物理学报
,2000,49(9):1821 【核心库】
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DOI
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10.7498/aps.49.1821
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关键词
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Franz-Keldysh振荡
;
傅里叶变换
;
GaAs
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地址
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1.
南开大学物理系, 天津, 300071
2.
中科院半导体所, 北京, 100083
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语种
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中文 |
ISSN
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1000-3290 |
学科
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物理学 |
基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:782711
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参考文献 共
7
共1页
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1.
Shen H.
J Appl Phys,1995,78:2151
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被引
5
次
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被引
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次
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被引
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次
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被引
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被引
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6.
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被引
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次
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被引
1
次
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