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自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究
查看参考文献8篇
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文摘
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介绍了最新发展的粒子数混合超快光谱测量技术，以及采用该技术对自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学的研究结果。实验发现，自组织InAs/GaAs量子点结构的发光寿命大约为1ns，与InAs层厚度关系不大；激子寿命与温度有一定的关系，但没有明显的实验证据表明与量子点的δ态密度有关；用粒子数混合技术，实验上可直接观察到量子点中载流子在激发态能级的态填充过程。 |
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来源
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物理学报
,1999,48(4):744 【核心库】
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DOI
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10.7498/aps.48.744
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地址
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1.
中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083
2.
香港科技大学物理系, 香港
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语种
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中文 |
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ISSN
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1000-3290 |
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学科
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物理学 |
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基金
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国家攀登计划项目
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:782124
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参考文献 共
8
共1页
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1.
吕振东.
博,1998
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被引
1
次
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2.
Tan H.
Appl Phys Lett,1993,62:1376
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被引
1
次
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3.
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Appl Phys Lett,1996,69:4087
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被引
2
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4.
Wang G.
Appl Phys Lett,1994,64:2815
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被引
7
次
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5.
Xu Z Y.
SPIE.2139,1984:63
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被引
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6.
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被引
2
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7.
Xu Z Y.
Phys Rev B,1996,54:11528
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被引
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次
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8.
Xu Z Y.
Superlattices Microstructures,1998,23:381
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被引
8
次
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