用X射线双晶衍射方法测定GaMnAs组分

陈诺夫 ¹ 修慧欣 ² 杨君玲 ² 吴金良 ¹ 钟兴儒 ¹ 林兰英 ¹

来源	科学通报 ,2001(24):2035 【核心库】
关键词	GaMnAs单晶 ; 稀磁半导体 ; X射线衍射 ; 晶格参数 ; Mn组分
地址	1. 中科院半导体所, 微重力国家实验室, 北京, 100083 2. 中科院半导体所, 北京, 100083
语种	中文
ISSN	0023-074X
学科	晶体学
文献收藏号	CSCD:691945

参考文献共 2 共1页

	1. Chen N F. Phys Rev.B,1996,54(12):8516	被引 8 次
	2. Chen N F. Defect and Diffusion Forum,2000(183/185):85	被引 1 次

引证文献 6 篇

1 陈诺夫室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb 科学通报,2002,47(24):1863-1864
被引 0 次

2 张秀兰电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布科学通报,2002,47(17):1299-1301
被引 1 次

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