文摘
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利用射频共溅射的方法制备了不同金属含量f_v的Fe-SiO_2金属-绝缘体颗粒膜,系统研究了薄膜的微结构、磁性以及隧道磁电阻(TMR)效应。在f_v=0.33处得到最大磁电阻值为-3.3%。在同样的制备条件下保持f_v=0.33,用Co取代Fe得到一系列的(Fe_(100-x)Co_x)_(0.33)(SiO_2)_(0.67)的颗粒膜。对其TMR的研究发现在x=53时得到最大的磁电阻值-4.5%,且Co对Fe的替代基本没有影响薄膜的微结构。由Inoue关于隧道磁电阻效应的理论得到的自旋极化率P和Co的原子百分数x的关系曲线和实验测得的TMR-x曲线具有相似的变化趋势。表明在FeCo-SiO_2膜中由于磁性颗粒自旋极化率P的提高而使TMR变大。 |
来源
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科学通报
,2000,45(20):2163 【核心库】
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关键词
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隧道磁电阻效应
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颗粒膜
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地址
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兰州大学教育部, 磁学与磁性材料教育部重点实验室, 甘肃, 兰州, 730000
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语种
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中文 |
ISSN
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0023-074X |
学科
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电子技术、通信技术 |
基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:691371
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