柔性基片上In_2O_3:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其电学和光学特性

陈猛白雪冬黄荣芳闻立时

文摘	利用直流磁控反应溅射铟锡合金靶和锌铝合金靶，在软基片上低温沉积了In_2O_3:Sn(ITO)和ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜。结果表明，ITO和ZAO薄膜均出现晶格畸变；柔性基片上低温沉积薄膜的电阻率对氧分压的依赖性远低于硅和玻璃衬底；尺度效应对薄膜电阻率有重要的影响。实验测量得ITO薄膜在60nm厚时获得最低电阻率为4.23×10~(-4)Ω·cm，ZAO薄膜在20nm厚时获得最低电阻率为8.09×10~(-4)Ω·cm。无论ITO或是ZAO,其可见光区的平均透射率均大于75%。基于薄膜吸收系数的研究表明，ITO薄膜的光学直接能隙在3.65-4.00eV之间，间接跃迁在2.50-2.76eV之间;ZAO薄膜的光学直接能隙在3.20-3.60eV之间，间接跃迁在2.50-2.75eV之间。
来源	金属学报 ,1999,35(4):443 【核心库】
关键词	晶格畸变 ; 氧分压 ; 尺度效应 ; 透射率 ; 光学能隙
地址	中科院金属所, 辽宁, 沈阳
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0412-1961
学科	电子技术、通信技术
基金	辽宁省沈阳市科技项目
文献收藏号	CSCD:675290

参考文献共 6 共1页

引证文献 5 篇

1 陈猛 In_2O_3:Sn（ITO）薄膜的光学特性研究金属学报,1999,35(9):934
被引 8 次

2 张凤柔性透明导电薄膜及其制备技术材料导报,2007,21(3):119-122,129
被引 0 次

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