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立方碳化硅薄膜的层错结构特征
Structural feature of the stacking faults in cubic SiC films

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文摘 本文利用微波等离子体增强化学气相沉积(MPCVD)和脉冲激光沉积(PLD)等薄膜制备技术分别在硅(Si) {001}基片上生长了立方碳化硅(3C-SiC)薄膜。两种方法制备的3C-SiC薄膜均与Si基片具有相同的外延关系3C-SiC〈110〉{001}//Si〈110〉{001},但PLD法制备的3C-SiC薄膜具有较低的层错密度并与Si基片间形成了平直的界面。基于高角环形暗场像(HAADF)原子结构表征的结果,探讨了3C-SiC薄膜中内禀层错、外禀层错、微孪晶和亚稳A-A'型层错的形成机制及它们之间的结构演化关系。
其他语种文摘 The cubic SiC (3C-SiC) thin films have been epitaxially grown on the Si { 001} substrates by the microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) and pulsed laser deposition (PLD),respectively. The as-prepared 3C-SiC thin films and the Si substrates have an epitaxial orientation relationship of 3C-SiC〈110〉{ 001}//Si〈110〉{ 001} . The 3C-SiC thin film prepared by PLD has a lower density of stacking faults and the 3C-SiC/Si interface is flat. Based on the high angle annular dark field (HAADF) images, the formation mechanisms and structural evolution of the intrinsic and extrinsic stacking faults,micro-twins,and metastable A-A'type stacking faults in the 3C-SiC thin films have been discussed.
来源 电子显微学报 ,2019,38(5):459-463 【扩展库】
DOI 10.3969/j.issn.1000-6281.2019.05.005
关键词 碳化硅 ; 层错 ; 原子结构 ; 球差校正透射电子显微术
地址

中国科学院金属研究所, 沈阳材料科学国家研究中心, 辽宁, 沈阳, 110016

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1000-6281
学科 晶体学;金属学与金属工艺;化学工业
基金 国家千人计划青年项目 ;  中国科学院前沿科学重点研究项目 ;  国家自然科学基金资助项目 ;  辽宁省“兴辽英才计划”项目
文献收藏号 CSCD:6586824

参考文献 共 12 共1页

1.  Yamasaki J. Atomistic structure analysis of 3C-SiC/Si (001) interface and stacking faults by aberration-corrected transmission electron microscopy. Microscopy and Microanalysis,2012,18(S2):514-515 被引 1    
2.  施尔畏. 碳化硅晶体生长与缺陷,2012 被引 1    
3.  Inamoto S. Atomic arrangement at the 3C-SiC/Si (001) interface revealed utilising aberration-corrected transmission electron microscope. Philosophical Magazine Letters,2011,91(9):632-639 被引 2    
4.  Ren X M. Development of SiC single crystal growth and device study. Semiconductor Information,1998,4:7-12 被引 1    
5.  Monaco G. Synthesis of heteroepitaxial 3C-SiC by means of PLD. Applied Physics A,2011,105(1):225-231 被引 1    
6.  Kusumori T. Control of polytype formation in silicon carbide heteroepitaxial films by pulsed-laser deposition. Applied Physics Letters,2004,84(8):1272-1274 被引 1    
7.  Xu Q F. Elimination of double position domains (DPDs) in epitaxial〈111〉3CSiC on Si (111) by laser CVD. Electrochemical and Solid-State Letters,2017,426:662-666 被引 1    
8.  Tan C. Blue emission from silicon-based β-SiC films. Physics Letters A,2003,310(2):236-240 被引 4    
9.  Nagasawa H. Reducing planar defects in 3C-SiC. Chemical Vapor Deposition,2006,12:502-508 被引 3    
10.  Celler G K. Etching of silicon by the RCA standard clean 1. Electrochemical and Solid-State Letters,2000,3(1):47-49 被引 1    
11.  Shirahata N. A new type of stacking fault in β-SiC. Japanese Journal of Applied Physics,2001,40:505-508 被引 1    
12.  Shirahata N. Thermal change of unstable stacking faults in β-SiC. Japanese Journal of Applied Physics,2001,40:3969-3974 被引 1    
引证文献 3

1 章炜 像差校正电子显微镜研究Cr_2Nb中的棱柱面层错结构 电子显微学报,2020,39(5):457-461
被引 3

2 李祥 TiO_2薄膜的相结构调控与表征 电子显微学报,2022,41(2):111-116
被引 2

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