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Si(001)衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量
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来源
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中国科学. A辑
, 数学,2001,31(3):242 【核心库】
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关键词
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3C-SiC
;
孪晶
;
双晶多功能四圆衍射
;
常压化学气相生长(APCVD)
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地址
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中科院半导体所, 北京, 100083
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语种
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中文 |
ISSN
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1006-9232 |
学科
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电子技术、通信技术 |
文献收藏号
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CSCD:652821
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参考文献 共
11
共1页
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