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Si(001)衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量

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来源 中国科学. A辑 , 数学,2001,31(3):242 【核心库】
关键词 3C-SiC ; 孪晶 ; 双晶多功能四圆衍射 ; 常压化学气相生长(APCVD)
地址

中科院半导体所, 北京, 100083

语种 中文
ISSN 1006-9232
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:652821

参考文献 共 11 共1页

1.  Tong L. Appl Phys Lett,1992,60:2992 被引 3    
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10.  Weimin S. J Electron Mater,1997,26:151 被引 1    
11.  Cho K. J Appl Phys,1991,69:237 被引 1    
引证文献 1

1 韩茂华 SiC薄膜的热辐射特性研究 科学通报,2005,50(6):588-591
被引 1

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杨辉 0000-0003-0999-1595
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