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生长在（311）A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究

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陈晔 1   李国华 1   朱作明 1   韩和相 1   汪兆平 1   周伟 2   王占国 2  
来源 红外与毫米波学报 ,2001,20(1):53 【核心库】
关键词 InAlAs/AlGaAs ; 量子点 ; 压力 ; 光致发光
地址

1. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083  

2. 中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083

语种 中文
ISSN 1001-9014
学科 电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:641379

参考文献 共 2 共1页

1.  Fu L P. Phys Rev.B,1995,51:17630 被引 1 次    
2.  Li G H. Phys Rev.B,1994,50:1575 被引 3 次    
引证文献 1 篇

1 李国华 半导体低维结构的压力光谱研究 红外与毫米波学报,2005,24(3):174-178
被引 1 次

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周伟 0000-0003-0352-8356
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