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文摘
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利用退火技术，实现了在低温GaAs外延层上InAs量子点的生长。透射电镜(TEM)研究表明，低温GaAs外延层上生长的InAs量子点比通常生长的InAs量子点明显变小，且密度变大，认为是由于低温GaAs中的点缺陷以及As沉淀引起的：点缺陷释放了部分弹性能，使得量子点变小，而As沉淀可能是量子点密度变大的原因。在光致发光谱(PL)上，退火低温外延层上生长的量子点的发光峰能量较高，且半高宽变窄。 |
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来源
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红外与毫米波学报
,2000,19(3):177 【核心库】
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关键词
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InAs量子点
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低温GaAs
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As沉淀
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地址
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中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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ISSN
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1001-9014 |
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学科
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物理学 |
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基金
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国家自然科学基金
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国家攀登计划项目
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文献收藏号
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CSCD:641300
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