立方相InGaN的稳态和瞬态光学特性研究

徐仲英 ¹ 刘宝利 ¹ 李顺峰 ¹ 杨辉 ¹ 葛惟昆 ²

文摘	用光荧光和时间分辨光谱技术研究了MEB生长立方In_(1-x)Ga_(1-x)N(x=0.150.26)外延材料的稳态和瞬态发光特性。实验表明InGaN发光主要来自局域激子发光，局域化是由合金无序造成的，相应局域化能量为60meV左右。荧光衰退呈现双指数特性，快过程(50ps,12K)是自由激子的快速驰豫引起的，而慢过程(200～270ps,12K)则对应局域激子发光，其荧光寿命随温度缓变反映了激子发光的强局域性质。
来源	红外与毫米波学报 ,2000,19(1):11 【核心库】
关键词	InGaN ; 激子局域化 ; 时间分辨光谱
地址	1. 中科院半导体所, 北京, 100083 2. 香港科技大学物理系, 香港
语种	中文
ISSN	1001-9014
学科	物理学
基金	国家自然科学基金 ; 国家攀登计划项目
文献收藏号	CSCD:641264

参考文献共 2 共1页

	1. Klann R. Phys Rev B,1995,52:R11615	被引 1 次
	2. Smith M. J Appl Phys,1996,79:7001	被引 1 次

引证文献 1 篇

1 孔令民 InGaN/GaN多量子阱的变温发光特性研究半导体光电,2008,29(6):909-912
被引 1 次

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杨辉 0000-0001-5013-0469

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