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文摘
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研究了较低掺杂浓度对InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响。光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄。该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的小量子点。该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有一定的意义。 |
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来源
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红外与毫米波学报
,1999,18(6):423 【核心库】
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关键词
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自组织量子点
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PL
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硅掺杂
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InAs/GaAs
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地址
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中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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ISSN
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1001-9014 |
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学科
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物理学 |
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基金
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国家攀登计划项目
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:641250
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