高边模抑制比窄线宽的光纤光栅外腔半导体激光器

周凯明胡雄伟刘海涛葛璜安贵仁

文摘	从耦合腔理论出发分析了光纤光栅外腔半导体激光器的模式选择，得到了为达到稳定的高主边模抑制比所需的短外腔、短光纤光栅的器件设计原则。制作了两只光纤光栅外腔半导体激光器，Q_1为短外腔(<2mm)、短光纤光栅(4mm)结构，Q_2为长外腔(20mm)、长光纤光栅(17mm)结构。测量Q_1的主边模抑制比为35dB，Q_2的主边模抑制比为10dB。
来源	光子学报 ,2001,30(4):478 【核心库】
关键词	光纤光栅 ; 外腔 ; 半导体激光器
地址	中科院半导体所, 北京, 100083
语种	中文
ISSN	1004-4213
学科	电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:621035

参考文献共 0

引证文献 6 篇

1 Xu Qingyang Theoretical Study on the Butt-coupling of Semiconductor Laser and Fiber Bragg Grating 光子学报,2005,34(1):1-5
被引 2 次

2 徐庆扬光纤光栅外腔半导体激光器改进模型分析中国激光,2005,32(2):156-160
被引 2 次

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